Будущий флагманский чипсет компании Qualcomm будет выполнен по 10-нм техпроцессу с применением архитектуры FinFET. Отметим, что производством продукта занимается южнокорейская Samsung, которая выпускает процессоры не только для Qualcomm, но и для своего мобильного подразделения. Если верить источнику, Snapdragon 835 построен на 8 ядрах Kryo 280, одна четверка работает на частоте 1,9 ГГц и отличается заниженным энергопотреблением, а вторая – на частоте 2,45 ГГц. Процессор будет дополнен графическим ускорителем Adreno 540, который поддерживает такие технологии, как DX12, OpenGL и Vulkan API. Также в состав чипсета войдет новый модем LTE X16 и аудиочип Qualcomm Aqstic Audio. Благодаря более компактным размерам Snapdragon 835 производителям не придется переживать за толщину своих будущих устройств. Первым смартфоном с новым флагманским чипсетом Qualcomm на борту станет Samsung Galaxy S8, а первым китайским устройством – Xiaomi Mi6.
Подробности о Snapdragon 835 - процессоре большинства Android-флагманов 2017 года
Ранее мы неоднократно рассказывали вам о флагманах 2017 года, которые получат чипсет Snapdragon 835. Упоминались такие смартфоны, как Xiaomi Mi6, Samsung Galaxy S8, LG G6 и многие другие. Впрочем, о самом процессоре известно не так уж много. Сегодняшняя утечка исправляет данную ситуацию. Примечательно, что Qualcomm сама обещала раскрыть все подробности на выставке CES 2017, которая стартует в Лас Вегасе 5 января, но теперь это мероприятие будет носить лишь формальный характер, ведь вся информация о Snapdragon 835 и так уже известна.